[发明专利]防尘薄膜组件框架及防尘薄膜组件无效
申请号: | 201310114196.2 | 申请日: | 2013-04-03 |
公开(公告)号: | CN103365074A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 关原一敏 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | G03F1/64 | 分类号: | G03F1/64 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人: | 郭广迅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种提高了刚性的树脂制的防尘薄膜组件框架。该防尘薄膜组件框架为一种通过溶融加压成型得到的树脂制的防尘薄膜组件框架(10),由混合有纤维状的强度增强剂的热塑性树脂形成。优选,防尘薄膜组件框架(10)的至少内侧表面由对紫外线具有耐光性的树脂覆膜(16)覆盖。 | ||
搜索关键词: | 防尘 薄膜 组件 框架 | ||
【主权项】:
一种防尘薄膜组件框架,其为通过溶融加压成型得到的树脂制的防尘薄膜组件框架,其特征在于,所述防尘薄膜组件框架由混合有纤维状的强度增强剂的热塑性树脂形成。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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