[发明专利]非易失性存储装置、存储系统及其编程方法有效
| 申请号： | 201310114199.6 | 申请日： | 2013-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN103366809B | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 郭东勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非易失性存储装置、存储系统以及对非易失性存储装置编程的方法，所述非易失性存储装置包括在垂直于衬底的方向上形成的单元串并通过串选择线单元来选择存储单元。所述编程方法包括：检测被选择存储块的损耗平均信息；根据所述损耗平均信息来确定对所述被选择存储块的串选择线的选择顺序；以及根据确定的选择顺序将数据写入所述被选择存储块。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 装置 存储系统 及其 编程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种对非易失性存储装置编程的方法，所述非易失性存储装置包括在垂直于衬底的方向上形成的单元串，所述方法包括：检测被选择存储块的损耗平均信息；根据所述损耗平均信息来确定对所述被选择存储块的多个串选择线的选择顺序；以及根据所确定的选择顺序来将数据写入所述被选择存储块。
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