[发明专利]三结太阳电池及其制备方法

摘要

本发明提供了一种三结太阳电池，包括在GaAs衬底上依次连接的InGaAsN底电池、第一隧道结、BInGaAs中间电池、第二隧道结以及AlGaInP顶电池，AlGaInP顶电池和GaAs衬底上分别设有电极。本发明还提了一种三结太阳电池的制备方法，包括步骤：1）在GaAs衬底上依次生长InGaAsN底电池、第一隧道结、BInGaAs中间电池、第二隧道结、AlGaInP顶电池以及欧姆接触层；2）分别在所述AlGaInP顶电池和所述GaAs衬底上制备上、下电极，获得目标太阳电池。本发明所有子电池晶格常数与GaAs衬底匹配，降低了生产成本，采用正装生长方法生长、制备工艺简单，提高了电池效率。

主权项

一种三结太阳电池，其特征在于，包括分别采用AlGaInP材料、BInGaAs材料以及InGaAsN材料制成的三结子电池，所有子电池的晶格常数均与GaAs衬底匹配。