[发明专利]一种大尺寸BBO晶体快速生长的方法有效
申请号: | 201310115179.0 | 申请日: | 2013-04-07 |
公开(公告)号: | CN103225108A | 公开(公告)日: | 2013-07-31 |
发明(设计)人: | 王昌运;吴少凡;陈伟 | 申请(专利权)人: | 福建福晶科技股份有限公司 |
主分类号: | C30B15/12 | 分类号: | C30B15/12;C30B29/22 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 350002 福建省福州市鼓楼区*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 一种大尺寸BBO晶体快速生长的方法,采用碳酸钡和硼酸为主要原料,氟化钠或氧化钠为助熔剂,双层坩锅和熔盐炉为生长装置,所述双层坩埚为在外坩埚里面增置一个无底的内坩埚,通过对外坩埚熔体搅拌或通气,带动内坩埚熔体的流动,从而提高晶体生长速度和溶质浓度梯度,缩短晶体生长周期,得到大尺寸晶体毛坯,采用本发明的晶体生长方法可以有效解决传统生长方法中晶体靠降温生长,过程中熔体主要为自然对流导致晶体生长速率低,生长周期长,风险大,成本高等缺点。 | ||
搜索关键词: | 一种 尺寸 bbo 晶体 快速 生长 方法 | ||
【主权项】:
一种大尺寸BBO晶体快速生长的方法,采用碳酸钡和硼酸为主要原料,氟化钠或氧化钠为助熔剂,坩埚和熔盐炉为生长装置,其特征在于:所述坩埚为在外坩埚里面增置一个无底的内坩埚。
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