[发明专利]防静电TFT基板的制作方法有效

专利信息
申请号: 201310115666.7 申请日: 2013-04-03
公开(公告)号: CN103230864A 公开(公告)日: 2013-08-07
发明(设计)人: 张迅;张伯伦;易伟华 申请(专利权)人: 江西沃格光电科技有限公司
主分类号: B05D5/00 分类号: B05D5/00;B05D3/10;B05D3/02;C09D1/00
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 吴平
地址: 338004 江西省新余*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 发明提供了一种防静电TFT基板的制作方法,包括以下步骤:对TFT基板进行清洗并干燥;采用丝网印刷法将ITO溶合剂印刷在所述TFT基板上,在所述TFT基板表面形成ITO涂层,其中,所述ITO溶合剂由以下质量百分比的组份组成:0.5~1%的In2O3、4.5~6%的SnO2、35~45%的H2O、15~20%的复合表面活性剂及35~40%的交联剂;及将所述ITO涂层进行烘烤,后自然晾干,在所述TFT基板表面形成ITO膜层,得到防静电TFT基板。上述防静电TFT基板的制作方法,由于丝网印刷法的设备较真空磁控溅射设备成本较低,降低了生产成本;同时,丝网印刷法不会产生电子辐射,对人体影响较小;另外,丝网印刷法在常压下进行,减少了真空度对TFT基板破裂风险的影响。
搜索关键词: 静电 tft 制作方法
【主权项】:
一种防静电TFT基板的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:对TFT基板进行清洗并干燥;采用丝网印刷法将ITO溶合剂印刷在所述TFT基板上,在所述TFT基板表面形成ITO涂层,其中,所述ITO溶合剂由以下质量百分比的组份组成:0.5~1%的In2O3、4.5~6%的SnO2、35~45%的H2O、15~20%的复合表面活性剂及35~40%的交联剂;及将所述ITO涂层进行烘烤,后自然晾干,在所述TFT基板表面形成ITO膜层,得到防静电TFT基板。
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