[发明专利]一种抗单粒子辐射的多栅器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201310115866.2 | 申请日： | 2013-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN103219384A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 黄如;武唯康;安霞;谭斐;黄良喜;冯慧;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 张肖琪 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抗单粒子辐射的多栅器件及其制备方法。本发明的多栅器件包括：衬底；在衬底上且分别位于两端的源区和漏区；在衬底上的源区和漏区之间的凸出的鳍型结构和介质层；在鳍型结构和介质层上的栅介质和栅电极；以及在相邻的两个鳍之间的漏区中设置有两层互相分开的隔离层，两层隔离层之间形成夹心。夹心与衬底的掺杂类型相反，与衬底形成分流pn结，并且分流pn结电极与漏极并不相连，这样被分流pn结收集的部分电荷不会输出到漏极，最终可以从多栅器件内导出，从而减弱了单粒子效应的影响。与现有技术的多栅器件相比，本发明可以做到在两者版图面积几乎相同的前提之下，有效地提高器件抗单粒子辐射的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 粒子 辐射 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种抗单粒子辐射的多栅器件，其特征在于，所述多栅器件包括：衬底(1)；在衬底(1)上且分别位于两端的源区(6)和漏区(7)；在衬底上的源区和漏区之间的凸出的鳍型结构(8)和介质层(9)；在鳍型结构和介质层上的栅介质(10)；覆盖于栅介质上的栅电极(11)；以及在相邻的两个鳍之间的漏区中设置有两层互相分开的隔离层(4)，两层隔离层之间形成夹心(5)。
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