[发明专利]一种晶圆的TSV的光学显微图像检测方法有效

申请号：	201310115902.5	申请日：	2013-04-03
公开（公告）号：	CN103165492B	公开（公告）日：	2015-11-18
发明（设计）人：	潘建军;缪旻;李红莲;牛延召;朱蕴辉;文江川	申请（专利权）人：	北京信息科技大学
主分类号：	H01L21/66	分类号：	H01L21/66;G01B11/00;G01B11/14
代理公司：	北京铭硕知识产权代理有限公司 11286	代理人：	鲁恭诚;郭鸿禧
地址：	100192 北***	国省代码：	北京;11
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摘要：	本发明提供一种晶圆的贯穿硅通孔(TSV)的光学显微图像检测方法，在晶圆上加工有TSV阵列，所述方法包括：(1)利用标定板对光学显微成像系统进行标定，确定光学显微成像系统所采集的显微图像像素与实际尺寸之间的对应关系；(2)利用光学显微成像系统对加工有TSV阵列的晶圆成像，采集TSV阵列的显微图像，对TSV阵列的显微图像进行图像处理，获得TSV阵列的显微图像中TSV的待测尺寸占据的像素数量；(3)利用TSV阵列的显微图像中TSV的待测尺寸占据的像素数量以及确定的所述对应关系，来测量TSV的加工尺寸；(4)确定测量出的TSV的加工尺寸是否在预定误差范围内。
搜索关键词：	一种 tsv 光学显微图像检测方法
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【主权项】：

一种晶圆的贯穿硅通孔(TSV)的光学显微图像检测方法，在晶圆上加工有TSV阵列，所述方法包括：(1)利用标定板对光学显微成像系统进行标定，确定光学显微成像系统所采集的显微图像像素与实际尺寸之间的对应关系；(2)利用光学显微成像系统对加工有TSV阵列的晶圆成像，采集TSV阵列的显微图像，对TSV阵列的显微图像进行图像处理，获得TSV阵列的显微图像中TSV的待测尺寸占据的像素数量；(3)利用TSV阵列的显微图像中TSV的待测尺寸占据的像素数量以及确定的所述对应关系，来测量TSV的加工尺寸；(4)确定测量出的TSV的加工尺寸是否在预定误差范围内，其中，在步骤(2)中，光学显微成像系统采集TSV阵列的多个视野的显微图像，将多幅显微图像进行拼接，对拼接TSV阵列的显微图像进行图像处理以获得TSV阵列的待测尺寸占据的像素数量。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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