[发明专利]磁控溅射法制备二氧化钒薄膜的方法无效
| 申请号： | 201310116034.2 | 申请日： | 2013-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN104099563A | 公开（公告）日： | 2014-10-15 |
| 发明（设计）人： | 金平实;曹逊;姜萌;周怀娟;罗宏杰;包山虎 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种磁控溅射法制备二氧化钒薄膜的方法，所述方法包括：以金属钒为靶材，以氩气为溅射气体、以及以氧气为反应气体对所述靶材进行溅射以在衬底上形成二氧化钒薄膜，其中控制沉积温度为300～500℃、沉积全压为0.5～2.0Pa、氧气分压为1～5%。本发明不仅克服了以往制备氧化钒薄膜的制备工艺复杂的缺点，同时制备的氧化钒薄膜为相变温度可调的二氧化钒薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 法制 氧化 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种磁控溅射法制备二氧化钒薄膜的方法，其特征在于，包括：以金属钒为靶材，以氩气为溅射气体、以及以氧气为反应气体对所述靶材进行溅射以在衬底上形成二氧化钒薄膜，其中控制沉积温度为300～500℃、沉积全压为0.5～2.0Pa、氧气分压为1～5%。
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