[发明专利]单芯片低噪声放大器有效
| 申请号： | 201310116048.4 | 申请日： | 2013-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN103199802A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 管玉静;袁野;付汀 | 申请（专利权）人： | 成都雷电微力科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/42 | 分类号： | H03F1/42 |
| 代理公司： | 四川力久律师事务所 51221 | 代理人： | 王芸;熊晓果 |
| 地址： | 610041 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成电路设计、制造技术领域，特别涉及一种广泛用于W波段毫米波各类雷达组件及通信系统的单芯片低噪声放大器。一种单芯片低噪声放大器，其在单芯片上集成有输入匹配电路，输入匹配电路的输入端连接外部信号输入源，其输出端顺次串接四级晶体管放大器、输出匹配电路后向外输出，所述四级晶体管放大器包括依次级联的第一级、第二级、第三级、第四级晶体管放大器。本发明的单芯片低噪声放大器可广泛用于W波段各类雷达组件及毫米波通信系统等领域，其工作频段宽，且全频段性能稳定，各级放大电路能同时达到最佳噪声和输入驻波的良好匹配。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 低噪声放大器 | ||
【主权项】：
单芯片低噪声放大器，其在单芯片上集成有输入匹配电路，输入匹配电路的输入端连接外部信号输入源，其输出端顺次串接四级晶体管放大器、输出匹配电路后向外输出，其特征在于：所述四级晶体管放大器包括第一级晶体管放大器、第二级晶体管放大器、第三级晶体管放大器、第四级晶体管放大器，各级晶体管放大器通过中间级匹配电路依次级联，各级晶体管放大器分别包括三极管、三级滤波电路，所述三极管的集电极和基极通过三级滤波电路与供电端连接，所述第一级晶体管放大器发射极到地串联有电感，其余各级晶体管放大器中的发射极直接接地。
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