[发明专利]平面基板的处理装置

摘要

本发明涉及一种用于处理平面基板的反应器，其具有真空室(11)、处理腔(9)，设置第一电极(5)和对电极(7)以用于产生离子体和形成该处理腔的两对置的壁，以及将气态材料引入(19，23，25)处理腔和从处理腔排出的装置，其中该基板(3)可由对电极接受。还具有对真空室的加料和排料口和用于改变电极间相对间距的装置(41，43)，其中第一个较大的间距是在装入处理腔或从处理腔卸出时设定，第二个较小的间距在实施处理时设定，和/或设置与对电极相关联的用于接受基板的装置，该装置如此构成，即该基板至少在进行处理时，以其待处理表面朝下而相对垂直线成0°-90°之间的某一角度α配置，该角α的值优选为1°、3°、5°、7°、9°、11°、13°、15°、17°、20°、25°、30°、40°、45°。

主权项

一种用于处理平面基板(3)反应器(1)，其具有：‑真空室(11)，其中配置有处理腔(9)，该处理腔(9)中设置第一电极(5)和对电极(7)以用于产生处理待处理的表面的等离子体和形成该处理腔(9)的两对置的壁，‑引入装置和排出装置，用于将气态材料引入处理腔(9)和/或从处理腔(9)排出，‑至少一块基板(3)可通过对电极(7)被接纳在该对电极朝向所述第一电极(5)的正面上，‑该真空室(11)的加料和排料口，其中，设置用于改变电极（5；7）间相对间距的装置，其中第一个较大的间距是在该至少一块基板装入或卸出处理腔（9）时设定，第二个较小的间距在对该至少一块基板实施处理时设定，其特征在于，所述电极中的至少一个具有用于涂料和/或净化材料的气体分配器，以及在真空室（11）的外壳（13）中设置有第一电极（5）的固定结构（33），其中该电极（5）配置在固定结构（33）的凹槽中，以及在进行处理时该对电极（7）覆盖该凹槽，在对电极（7）的边缘区和所述凹槽边缘区之间形成缝隙，该缝隙的大小要使在处理腔（9）中产生的等离子体保持或可保持在处理腔的（9）内部。