[发明专利]一种提高氮化镓基发光二极管电子迁移率的结构及其生产方法无效
| 申请号： | 201310118493.4 | 申请日： | 2013-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN103178178A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 吴礼清;杨奎;蒋利民;郭丽彬 | 申请（专利权）人： | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230012 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种提高氮化镓基发光二极管电子迁移率的结构及其生长方法；所述结构自下而上依次为衬底、低温氮化镓缓冲层、高阻隔离层、第一非掺杂氮化镓层、第二非掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、低温p型氮化镓层、p型铝镓氮层层、高温p型氮化镓层，本发明还涉及前述结构的生长方法，所述方法包括如下步骤，首先净化处理衬底，然后依次生长低温氮化镓缓冲层、高阻隔离层、第一非掺杂氮化镓层、第二非掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、低温p型氮化镓层、p型铝镓氮层层、高温p型氮化镓层。本发明高阻隔离层电阻率高、漏电很小、夹断特性好，从而提高氮化镓基LED的发光效率，延长器件寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 氮化 发光二极管 电子 迁移率 结构 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种提高氮化镓基发光二极管电子迁移率的结构，其特征在于，所述结构自下而上依次为衬底、低温氮化镓缓冲层、高阻隔离层、第一非掺杂氮化镓层、第二非掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、低温p 型氮化镓层、p 型铝镓氮层层、高温p 型氮化镓层。
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