[发明专利]接合导热基板与金属层的方法无效
| 申请号： | 201310118784.3 | 申请日： | 2013-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN103715099A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 陈建铭 | 申请（专利权）人： | 旭德科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种接合导热基板与金属层的方法，此方法是先提供导热基板、第一金属层与前置层，其中前置层位于导热基板与第一金属层之间，且前置层为第二金属层或金属氧化物层。之后，在无氧环境下，对前置层进行加热制作工艺，以将前置层转换成接合层来接合导热基板与第一金属层。加热制作工艺的温度小于或等于300°C。由于本发明仅在小于或等于300°C的温度下对前置层进行加热，因此可以避免其他元件受到高温的损害。 | ||
| 搜索关键词： | 接合 导热 金属 方法 | ||
【主权项】：
一种接合导热基板与金属层的方法，包括：提供一导热基板、一第一金属层及一前置层，其中该前置层位于该导热基板与该第一金属层之间，且该前置层为一第二金属层或一金属氧化物层；以及在一无氧环境下，对该前置层进行一加热制作工艺，以将该前置层转换成一接合层来接合该导热基板与该第一金属层，其中该加热制作工艺的温度小于或等于300°C。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旭德科技股份有限公司，未经旭德科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310118784.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种骨架牢固的汽车油封
- 下一篇：影音娱乐系统及其方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
