[发明专利]一种提高垂直发光二极管芯片亮度的封装结构有效
| 申请号： | 201310119249.X | 申请日： | 2013-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN103199184A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 赵志伟 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/52 | 分类号： | H01L33/52;H01L33/60 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种垂直发光二极管芯片亮度的封装结构，至少包括一支架系统、一胶杯与支架系统之外围相连接、一含有吸光基板LED芯片置于支架系统之上及封装胶分布于硅基板LED芯片之外围，其特征在于：吸光基板的侧面与封装胶接口处形成气泡结构。利用封装胶、气泡以及硅基板材料折射率差异，形成反射层，从而有效地减少或避免原本会被基板所吸收的光线，并将其反射出封装结构，增强出光几率，进而提升垂直发光二级管芯片的光强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 垂直 发光二极管 芯片 亮度 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种提高垂直发光二极管芯片亮度的封装结构，至少包括一支架系统、一胶杯与支架系统之外围相连接、一含有吸光基板LED芯片置于支架系统之上及封装胶分布于LED芯片之外围，其特征在于：基板侧面与封装胶接口处形成气泡结构。
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