[发明专利]高压合成MnP相的MnS纳米晶材料的方法无效
| 申请号： | 201310120025.0 | 申请日： | 2013-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN103224254A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 邹勃;杨新一 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C01G45/00 | 分类号： | C01G45/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 王恩远 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明的高压合成MnP相的MnS纳米晶材料的方法属于纳米材料制备的技术领域。以岩盐矿MnS纳米立方块或纤维锌矿MnS纳米棒为初始原料，在金刚石对顶砧中对初始原料加压至11.6～31GPa或24.3～33GPa，得到MnP相的MnS纳米立方块或MnP相的MnS纳米棒。将金刚石对顶砧泄压至常压，仍可以得到MnP相的MnS纳米晶材料。本发明方法得到的产物具有稳定的MnP相结构，相纯度很高，粒径分布均匀、结晶性好，产物具有很好的光学性质，能潜力地应用在光学、太阳能等领域；并且具有过程简单、室温合成、合成时间短、可重复性高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 合成 mnp mns 纳米 材料 方法 | ||
【主权项】：
一种高压合成MnP相的MnS纳米晶材料的方法，以岩盐矿MnS纳米立方块为初始原料，在金刚石对顶砧中对初始原料加压至11.6～31GPa，制得MnP相的MnS纳米立方块。
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