[发明专利]四分之一节距图案的形成方法有效
申请号: | 201310120628.0 | 申请日: | 2013-04-09 |
公开(公告)号: | CN103811334A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 刘弘仁 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/311 | 分类号: | H01L21/311;H01L21/027;G03F7/30;G03F7/42;G03F7/09 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 中国台湾桃园县龟山*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种四分之一节距图案的形成方法。首先形成两个光阻层,再定义上光阻层为多个第一图案。接着在下光阻层及第一图案上形成附着层,其包含或可产生使光阻材料可溶解于显影液的反应性物质。接着使反应性物质扩散进入各第一图案的部分及第一图案之间的下光阻层的部分中,并使反应性物质与其反应。接着移除附着层,再显影移除第一图案的上述部分及下光阻层的上述部分,并将下光阻层图案化为多个第二图案。接着在剩余的第一图案及第二图案的侧壁上形成多个间隙壁,之后移除剩余的第一图案,再以第二图案上的间隙壁为罩幕移除部分的第二图案。 | ||
搜索关键词: | 分之 一节 图案 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种四分之一节距图案的形成方法,其特征在于,包括:依序形成下光阻层及上光阻层;将该上光阻层定义为多个第一图案;在该下光阻层及该些第一图案上形成包含反应性物质或可产生反应性物质的附着层,该反应性物质可使该下光阻层及该上光阻层的材料可溶解在显影液中;使该反应性物质扩散进入各该第一图案的一部分及该些第一图案之间的该下光阻层的多个部分中,而与各该第一图案的该部分及该些第一图案之间的该下光阻层的该些部分发生反应;移除该附着层;进行显影步骤以移除该些第一图案的该些部分及该下光阻层的该些部分,以将该下光阻层图案化为多个第二图案;在剩余的该些第一图案的侧壁上及该些第二图案的侧壁上形成多个间隙壁;以及移除剩余的该些第一图案,并使用该些第二图案上的该些间隙壁作为罩幕来移除该些第二图案的多个部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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