[发明专利]一种双层纳米图形化LED的制备工艺方法

摘要

本发明公开了一种提高LED(发光二极管)出光效率的方法，将纳米图形化P型GaN层和纳米图形化透明电极的方法结合起来，即在一个LED芯片上先纳米图形化P型GaN层，制作透明电极后，再纳米图形化透明电极。一种制备双层纳米图形化LED的工艺步骤为：1）首先纳米图形化LED基片的p型GaN层，刻蚀出周期性的锥形的纳米柱阵列；2）然后在上述纳米柱阵列镀上ITO作为透明电极，再将ITO透明电极纳米图形化；3）最后在上述ITO透明电极上进行常规的LED加电极工艺。本发明的设计原理简单，制备方法巧妙，是在已经纳米图形化p型GaN层的LED基片的基础上将其透明电极也进行纳米图形化，可以进一步提高纳米图形化LED的出光效率。

主权项

一种双层纳米图形化LED的制备工艺方法，其特征在于包括以下步骤：a、首先纳米图形化LED基片的p型GaN层；b、然后在上述被纳米图形化后的p型GaN层制作透明电极，再纳米图形化透明电极；c、最后在上述透明电极上进行常规的LED加电极工艺。