[发明专利]复合铜扩散阻挡层及其制备方法无效
| 申请号： | 201310122197.1 | 申请日： | 2013-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN103219321A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 贺忻;周军;雷通;石刚;张慧君 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种复合铜扩散阻挡层，由氮化硅薄膜和金属扩散阻挡层共同组成。由氮化硅和金属扩散阻挡层共同组成的这种复合阻挡层能有效地阻挡铜在隔离层或器件内的扩散，达到有效的铜扩散的阻挡效果，使得铜填充得以实现。与钨相比，铜的电阻率小，解决铜的扩散问题，让铜取代钨有利于提高器件性能和降低功耗。同时本发明还公开了一种复合铜扩散阻挡层的制备方法，该方法首先打开接触孔并对其进行清洗，之后进行非晶氮化硅的沉积，接着通过刻蚀去除接触孔底部的氮化硅，最后再进行金属扩散阻挡层的沉积。该方法能简单方便地得到复合铜扩散阻挡层，使得铜取代钨成为可能，有利于提高器件的性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 扩散 阻挡 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种复合铜扩散阻挡层，用于接触孔的铜集成应用中，其特征在于，该复合铜扩散阻挡层包括：氮化硅薄膜，位于接触孔的侧壁上；金属扩散阻挡层，位于所述氮化硅薄膜上以及接触孔的底部。
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