[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、液晶显示面板

摘要

本发明实施例提供一种阵列基板及其制备方法、液晶显示面板，在形成刻蚀阻挡层时，无需形成通孔，而是在形成钝化层时，形成暴露氧化物半导体层源漏极区域的通孔，使得像素透明导电氧化物层沉积在所述通孔中，与所述源漏极区域接触以形成源漏极，并使得源漏极区域之一和像素区域的像素透明导电氧化物层相连。从而在阵列基板的制备过程中，减少了在刻蚀阻挡层光刻出通孔需要的Mask，简化阵列基板的制备工艺，减低制备成本。

主权项

一种阵列基板，其特征在于，包含TFT和一驱动电路，所述TFT包括基板，以及在所述基板上依次形成的栅极，栅绝缘层，氧化物半导体层，刻蚀阻挡层，钝化层和像素透明导电氧化物层；在位于所述氧化物半导体层上方的所述刻蚀阻挡层和所述钝化层上形成有两个第一通孔，分别暴露所述氧化物半导体层，所述氧化物半导体层暴露的区域形成源漏极区域；所述像素透明导电氧化物层沉积在所述第一通孔中，与所述氧化物半导体层的源漏极区域接触以形成源漏极，且所述像素透明导电氧化物层还沉积在所述阵列基板的像素区域；所述源漏极区域之一和像素区域的像素透明导电氧化物层相连；所述驱动电路包括与所述栅极同层的第一导电层；在位于所述第一导电层上方的所述栅绝缘层、所述刻蚀阻挡层和所述钝化层形成第三通孔，暴露所述第一导电层；所述像素透明导电氧化物层沉积在所述第三通孔中，与所述第一导电层接触。