[发明专利]一种高陷光纳米结构单面制绒的实现方法无效
| 申请号： | 201310123595.5 | 申请日： | 2013-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN103219427A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 贾锐;林阳;陈晨;金智;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C30B33/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高陷光纳米结构单面制绒的实现方法，包括：清洗硅片；对硅片表面进行重扩散；去除在重扩散后硅表面的残留物；在硅片表面涂敷纳米结构的TiO2，或在硅片表面淀积Ti并快速退火；对硅片进行湿法腐蚀形成纳米结构；以及去除硅表面的氧化物以及没有反应完的钛离子。采用本方法制备的高陷光纳米结构与传统工艺相比只是改变了工艺顺序，不增加重大设备的前提下，仅添加一个光源或者导入太阳光就可以达到单面制绒的目的。本方法制备的纳米结构在短波段有更好的陷光作用。此外工艺步骤简单，可以适用于大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高陷光 纳米 结构 单面 实现 方法 | ||
【主权项】：
一种高陷光纳米结构单面制绒的实现方法，其特征在于，包括：清洗硅片；对硅片表面进行重扩散；去除在重扩散后硅表面的残留物；在硅片表面涂敷纳米结构的TiO2，或在硅片表面淀积Ti并快速退火；对硅片进行湿法腐蚀形成纳米结构；以及去除硅表面的氧化物以及没有反应完的钛离子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
