[发明专利]用于蚀刻包含铜和钼的多层膜的液体组合物以及使用其的蚀刻方法有效
| 申请号： | 201310123603.6 | 申请日： | 2013-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN103361644B | 公开（公告）日： | 2017-08-04 |
| 发明（设计）人： | 夕部邦夫;玉井聪 | 申请（专利权）人： | 三菱瓦斯化学株式会社 |
| 主分类号： | C23F1/18 | 分类号： | C23F1/18;C23F1/26 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人： | 刘新宇,李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供用于蚀刻包含铜和钼的多层膜的液体组合物以及使用其的蚀刻方法。一种液体组合物，其包含(A)过硫酸根离子供给源、(B)铜离子供给源以及(C)选自由氨、铵离子、胺和烷基铵离子组成的组中的至少一种氮化合物供给源，所述液体组合物的pH为3.5～9。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 蚀刻 包含 多层 液体 组合 以及 使用 方法 | ||
【主权项】：
一种液体组合物，其为用于蚀刻包含铜和钼的多层膜的液体组合物，其包含(A)过硫酸根离子供给源、(B)铜离子供给源、(C)选自由氨、铵离子、胺和烷基铵离子组成的组中的至少一种氮化合物供给源、以及(D)羧酸根离子供给源，所述液体组合物的pH为3.5～9，所述过硫酸根离子供给源(A)相对于所述铜离子供给源(B)的配混比以摩尔基准计为0.01～20，所述羧酸根离子供给源(D)为选自由乙酸、丙酸、丙二酸、琥珀酸、乳酸和这些羧酸的盐、以及乙酸酐组成的组中的至少一种，所述羧酸根离子供给源(D)相对于所述铜离子供给源(B)的配混比以摩尔基准计为0.1～50。
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