[发明专利]一种晶体硅太阳能电池的制备方法有效
申请号: | 201310125311.6 | 申请日: | 2013-04-11 |
公开(公告)号: | CN103208564A | 公开(公告)日: | 2013-07-17 |
发明(设计)人: | 石强;李旺;单伟;韩玮智;牛新伟;蒋前哨;金建波;仇展炜 | 申请(专利权)人: | 浙江正泰太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人: | 冯谱 |
地址: | 310053 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的制备方法,该方法包括以下步骤:在硅片正面形成绒面;在所述硅片正面进行P离子注入;在所述硅片的背面进行重掺杂,并对所述硅片进行退火;去除重掺杂区的P扩散层和磷硅玻璃;在所述硅片正面形成减反膜;在所述硅片背面形成背电极和铝背场;在所述硅片正面形成正电极。本发明的方法制备的太阳能电池在具有通过离子注入获得的高效p-n结的同时还具有优异的背面吸杂效果,光电转换效率得到了显著提升。 | ||
搜索关键词: | 一种 晶体 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种晶体硅太阳能电池的制备方法,其中,包括以下步骤:a)在硅片正面形成绒面;b)在所述硅片正面进行P离子注入;c)在所述硅片的背面进行重掺杂,并对所述硅片进行退火;d)去除重掺杂区的P扩散层和磷硅玻璃;e)在所述硅片正面形成减反膜;f)在所述硅片背面形成背电极和铝背场;g)在所述硅片正面形成正电极。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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