[发明专利]一种晶体硅太阳能电池的制备方法有效
| 申请号： | 201310125311.6 | 申请日： | 2013-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN103208564A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 石强;李旺;单伟;韩玮智;牛新伟;蒋前哨;金建波;仇展炜 | 申请（专利权）人： | 浙江正泰太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 冯谱 |
| 地址： | 310053 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的制备方法，该方法包括以下步骤：在硅片正面形成绒面；在所述硅片正面进行P离子注入；在所述硅片的背面进行重掺杂，并对所述硅片进行退火；去除重掺杂区的P扩散层和磷硅玻璃；在所述硅片正面形成减反膜；在所述硅片背面形成背电极和铝背场；在所述硅片正面形成正电极。本发明的方法制备的太阳能电池在具有通过离子注入获得的高效p-n结的同时还具有优异的背面吸杂效果，光电转换效率得到了显著提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体硅太阳能电池的制备方法，其中，包括以下步骤：a）在硅片正面形成绒面；b）在所述硅片正面进行P离子注入；c）在所述硅片的背面进行重掺杂，并对所述硅片进行退火；d）去除重掺杂区的P扩散层和磷硅玻璃；e）在所述硅片正面形成减反膜；f）在所述硅片背面形成背电极和铝背场；g）在所述硅片正面形成正电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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