[发明专利]增强浅沟槽隔离应力的方法有效
| 申请号： | 201310125648.7 | 申请日： | 2013-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN104103570B | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 唐兆云;闫江 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种增强浅沟槽隔离应力的方法，包括：在衬底中形成多个浅沟槽，多个浅沟槽之间夹有多个衬底材料构成的柱状结构；在多个浅沟槽中填充介质层，构成浅沟槽隔离；在至少一一个柱状结构顶部形成沟槽；在沟槽中外延生长应力层。依照本发明的增强浅沟槽隔离应力方法，在浅沟槽隔离相邻区域的衬底中刻蚀形成沟槽并且外延生长应力层，从而简便有效提高了浅沟槽隔离的应力，最终提升了器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 沟槽 隔离 应力 方法 | ||
【主权项】：
1.一种增强浅沟槽隔离应力的方法，包括：在衬底中形成多个浅沟槽，多个浅沟槽之间夹有多个衬底材料构成的柱状结构；在多个浅沟槽中填充介质层，构成浅沟槽隔离；在至少一个柱状结构顶部形成沟槽；在沟槽中外延生长应力层，与相邻的浅沟槽隔离直接接触并向其施加应力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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