[发明专利]发光元件、发光装置、以及电子设备有效
申请号: | 201310125873.0 | 申请日: | 2008-08-29 |
公开(公告)号: | CN103258963A | 公开(公告)日: | 2013-08-21 |
发明(设计)人: | 牛窪孝洋;濑尾哲史 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L27/32;C09K11/06 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 吴宗颐 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的在于提供一种发光效率高的发光元件。尤其是,本发明的目的在于提供一种发光效率高的白色发光元件。另外,本发明的目的还在于通过使用这些发光元件提供耗电量低的发光装置及电子设备。通过将由二芳基氨基取代的芳基与9,10-二芳基蒽的2位结合的2,9,10-三芳基蒽衍生物用于发光元件,可以获得高效率的发光元件。该蒽衍生物的发光波长特别适合于白色发光元件。通过将该蒽衍生物用于白色发光元件,可以获得高效率的白色发光元件。 | ||
搜索关键词: | 发光 元件 装置 以及 电子设备 | ||
【主权项】:
1.一种发光装置,包括:第一阳极,在第一阳极上的第一发光层,与第一发光层直接接触的第二发光层,在第二发光层上的第一阴极,在第一阴极上并与第一阴极直接接触的第二阳极,在第二阳极上的第三发光层,和在第三发光层上的第二阴极;其中,第一至第三发光层中的每一层具有最大发光峰,其中,最大发光峰中的每一个位于下述区域之一:400nm以上且低于500nm的第一波长区域、500nm以上且低于600nm的第二波长区域、和600nm以上且低于700nm的第三波长区域,其中,第一至第三波长区域中的每一个只具有一个最大发光峰,其中,第一和第二发光层之一包括由通式(1)表示的蒽衍生物,
其中,Ar1和Ar2分别表示碳数为6至25的芳基,Ar3表示碳数为6至25的亚芳基,A表示由通式(1-1)至(1-3)表示的任一种取代基,![]()
Ar11至Ar13分别表示碳数为6至25的芳基,α表示碳数为6至25的亚芳基,Ar21表示碳数为6至25的芳基,R31表示氢原子、碳数为1至4的烷基、碳数为6至25的芳基、及碳数为1至4的卤代烷基中的任一种,R32表示碳数为1至4的烷基、碳数为6至25的芳基、及碳数为1至4的卤代烷基中的任一种,Ar31表示碳数为6至25的芳基,β表示碳数为6至25的亚芳基,且R41和R42分别表示氢原子、碳数为1至4的烷基、碳数为6至25的芳基、及碳数为1至4的卤代烷基中的任一种。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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