[发明专利]一种异质结电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种异质结电池的制备方法，包括如下步骤：在n型硅片的正面沉积第一非晶硅本征层，这里的n型硅片可以是单晶或是多晶硅片；在所述第一非晶硅本征层上沉积非晶硅p层；在所述非晶硅p层上沉积第一掺硼氧化锌薄膜；在所述硅片的背面形成背电极和铝背场；在所述硅片的正面形成正电极。另外，本发明还公开了一种双面异质结电池的制备方法。本发明采用掺硼氧化锌薄膜除替代ITO薄膜作为减反膜，由于掺硼氧化锌的特殊性质，特别是光陷作用，掺硼氧化锌可以起到良好的减反射作用，这样就省去了制绒的步骤，简化了制备工艺，由于多晶硅制绒更加具有挑战性，本发明对采用多晶硅硅片的异质结电池更加有意义。

主权项

一种异质结电池的制备方法，其中，包括如下步骤：a）在n型硅片的正面沉积第一非晶硅本征层；b）在所述第一非晶硅本征层上沉积非晶硅p层；c）在所述非晶硅p层上沉积第一掺硼氧化锌薄膜；d）在所述n型硅片的背面形成背电极和铝背场；e）在所述n型硅片的正面形成正电极。