[发明专利]非易失性存储器及半导体装置有效
| 申请号： | 201310126527.4 | 申请日： | 2013-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN103377703B | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 大塚雅之 | 申请（专利权）人： | 拉碧斯半导体株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;H01L27/102 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 袁波;李浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及非易失性存储器及半导体装置，避免伴随使用了齐纳击穿元件的非易失性存储器（PROM）的大容量化的数据写入时的发热的增大。非易失性存储器（1）具备：多个齐纳击穿元件（ZAP1～ZAPn），分别具备在阱上形成的阴极区域和阳极区域；以及金属布线（4），形成在多个齐纳击穿元件（ZAP1～ZAPn）上，经由通路孔（5）与各个阴极区域（电极20～2n）共同地连接，对该齐纳击穿元件的每一个供给写入用的电压。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器，其中，具备：多个齐纳击穿元件，分别具备在阱上形成的阴极区域和阳极区域；以及金属布线，形成在所述多个齐纳击穿元件上，共同连接于各个阴极区域并对各个所述齐纳击穿元件供给写入用的电压，其中，所述多个齐纳击穿元件的每一个具备：2个阴极区域和在该2个阴极区域之间形成的1个所述阳极区域，在相邻的齐纳击穿元件之间共有所述2个阴极区域中的1个，其中，在所述阴极区域和所述阳极区域之间，设置有阴极区域和阳极区域混合存在的混合存在区域。
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