[发明专利]残影测试方法及系统有效
| 申请号： | 201310127599.0 | 申请日： | 2013-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN103376575A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 蔡明睿;张立心;许持钧;林冠铭 | 申请（专利权）人： | 达兴材料股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/13 | 分类号： | G02F1/13;G01N21/958 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 史新宏 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种残影测试方法及系统。该残影测试方法用于测试一待测元件的残影现象。该待测元件实质上由两间隔设置的基板、两设置在所述基板的相向侧上的配向层、一夹设在所述配向层之间的液晶层及两设置在所述基板的相背侧上的电极组成。该残影测试方法包含以下步骤：入射光线到该待测元件；施加一第一交流电压到该待测元件的电极；施加一直流电压到该待测元件的电极，该直流电压大于或等于10伏特；及施加一第二交流电压到该待测元件的电极，并测量穿透该待测元件的光线的强度。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种残影测试方法，用于测试一个待测元件的残影现象，该待测元件实质上由两个间隔设置的基板、两个设置在所述基板的相向侧上的配向层、一个夹设在所述配向层之间的液晶层及两个设置在所述基板的相背侧上的电极组成，该残影测试方法包含以下步骤：(A)入射光线到该待测元件；(B)施加一个第一交流电压到该待测元件的电极；及(D)施加一个第二交流电压到该待测元件的电极，并测量穿透该待测元件的光线的强度；其特征在于该残影测试方法还包含介在步骤(B)与步骤(D)之间的以下步骤：(C)施加一个直流电压到该待测元件的电极，该直流电压大于或等于10伏特。
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