[发明专利]常闭型高电子迁移率晶体管无效
| 申请号： | 201310128726.9 | 申请日： | 2013-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN103715240A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 全佑彻;朴永焕;吴在浚;金景妍;金俊溶;朴基烈;申在光;黄瑄珪 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种常闭型高电子迁移率晶体管（HEMT）。该常闭型HEMT包括：沟道层，具有第一氮化物半导体；沟道供应层，包括在沟道层上的第二氮化物半导体以将二维电子气（2DEG）诱导到沟道层；源电极和漏电极，布置在沟道供应层的两侧；耗尽形成层，在沟道供应层上以在2DEG的至少局部区域中形成耗尽区并且具有至少两个厚度；栅绝缘层，在所述耗尽形成层上；以及栅电极，在所述栅绝缘层上以接触所述耗尽形成层。 | ||
| 搜索关键词： | 常闭型高 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
一种常闭型高电子迁移率晶体管，包括：沟道层，包括第一氮化物半导体；沟道供应层，包括在所述沟道层上的第二氮化物半导体并且将二维电子气诱导到所述沟道层；源电极和漏电极，在所述沟道供应层的两侧；耗尽形成层，在所述沟道供应层上以在所述二维电子气的至少局部区域中形成耗尽区并且具有至少两个厚度；栅绝缘层，在所述耗尽形成层上；以及栅电极，在所述栅绝缘层上以接触所述耗尽形成层。
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