[发明专利]双极性薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201310128785.6 | 申请日： | 2013-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN104103696B | 公开（公告）日： | 2018-02-27 |
| 发明（设计）人： | 钱庆凯;李群庆 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/47 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种双极性薄膜晶体管，包括一源极；一漏极，该漏极与该源极间隔设置；一半导体层，所述半导体层与所述源极及漏极电连接；以及，一栅极，该栅极通过一绝缘层与该半导体层、源极及漏极绝缘设置，定义所述栅极覆盖的所述半导体层的区域为沟道区域；其中，进一步包括两个导电过渡层分别设置在所述源极和漏极与所述半导体层之间，所述半导体层为一碳纳米管结构，所述导电过渡层的材料的功函数与所述半导体层的材料的功函数相同，所述导电过渡层延伸至所述沟道区域，且所述导电过渡层进入所述沟道区域的长度大于等于所述导电过渡层与所述栅极之间的间距。 | ||
| 搜索关键词： | 极性 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种双极性薄膜晶体管，包括：一源极；一漏极，该漏极与该源极间隔设置；一半导体层，所述半导体层与所述源极及漏极电连接；以及一栅极，该栅极通过一绝缘层与该半导体层、源极及漏极绝缘设置，定义所述栅极覆盖的所述半导体层的区域为沟道区域；其特征在于，进一步包括两个导电过渡层分别设置在所述源极和漏极与所述半导体层之间，所述两个导电过渡层均为一金属性的碳纳米管膜，所述半导体层为一碳纳米管结构，所述导电过渡层的材料的功函数与所述半导体层的材料的功函数相同，所述导电过渡层延伸至所述沟道区域，且在由所述源极到所述漏极的方向上，所述导电过渡层与所述沟道区域的重叠部分的长度大于等于所述导电过渡层与所述栅极之间的间距。
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