[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201310128871.7 | 申请日： | 2013-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN103378168B | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 理崎智光 | 申请（专利权）人： | 精工半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/866 | 分类号： | H01L29/866;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 李辉,黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，该半导体装置包含钳位二极管，并具有设置在半导体衬底（6）上的耐压调整用第一导电型低浓度区域（5）；圆形的第二导电型高浓度区域（1），其设置在耐压调整用第一导电型低浓度区域（5）内；环状的元件分离用绝缘膜（2），其在耐压调整用第一导电型低浓度区域（5）内，被设置成以不与第二导电型高浓度区域（1）相接的方式围住第二导电型高浓度区域（1）；第一导电型高浓度区域（3），其在耐压调整用第一导电型低浓度区域（5）内，设置在元件分离用绝缘膜（2）的环以外。提供一种具有钳位二极管的半导体装置，该钳位二极管的经时劣化、晶片面内偏差、晶片间偏差、批次间偏差以及击穿前的泄漏小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体衬底；设置在所述半导体衬底上的耐压调整用第一导电型低浓度区域；圆形的第二导电型高浓度区域，其设置在所述耐压调整用第一导电型低浓度区域内的表面附近,被所述耐压调整用第一导电型低浓度区域包围、且未被所述耐压调整用第一导电型低浓度区域以外的低浓度区域包围；具有环形状的元件分离用绝缘膜，其在所述耐压调整用第一导电型低浓度区域内的表面上，被设置成以不与所述第二导电型高浓度区域相接的方式围住所述第二导电型高浓度区域；以及第一导电型高浓度区域，其在所述耐压调整用第一导电型低浓度区域内，设置在所述元件分离用绝缘膜的外侧。
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