[发明专利]金纳米帽阵列表面增强拉曼活性基底及其制备方法

摘要

本发明公开了一种金纳米帽阵列表面增强拉曼活性基底及其制备方法。该基底以表面带有有序凹坑阵列结构的铝基片为模板，沉积金薄膜，随后去除铝基片，翻转下表面朝上转移固定到玻璃基底表面得到大面积(>1cm2)、高度有序的金纳米帽阵列结构。本发明提供的金纳米帽阵列表面增强拉曼活性基底形貌均一，结构可控，对于不同浓度的分析物具有显著的表面拉曼增强效果，且增强信号均一稳定（相对标准偏差小于2%）。本发明方法，可以根据模板的结构参数调节金纳米帽的结构参数和形貌，实现不同金属纳米阵列基底对拉曼表面增强效果的不同影响。具有操作简单，成本低，易于工业生产的优点。

主权项

一种金纳米帽阵列表面增强拉曼活性基底，其特征在于该活性基底是在玻璃衬底上粘附有一层具有有序凸起阵列结构金薄膜，该金薄膜的厚度为60～150 nm；所述的金纳米帽为隆起的半球形帽状结构，纳米帽直径为74～125 nm，相邻两纳米帽中心距为75～150 nm。