[发明专利]深度受温度控制的释放层的制造方法

摘要

本发明涉及深度受温度控制的释放层的制造方法。在第一温度下在基体衬底顶上形成应力源层，该应力源层在基体衬底中诱导第一拉伸应力，第一拉伸应力低于基体衬底的断裂韧度。然后使基体衬底和应力源层处于低于所述第一温度的第二温度。第二温度在应力源层中诱导第二拉伸应力，第二拉伸应力大于第一拉伸应力并且足以允许在基体衬底内发生剥落式断裂。基体衬底在第二温度下剥落而形成剥落的材料层。剥落在断裂深度处发生，所述断裂深度依赖于基体衬底的断裂韧度、基体衬底内的应力水平以及应力源层的在第二温度下诱导的第二拉伸应力。

主权项

一种方法，包括：在第一温度下在基体衬底顶上形成应力源层，所述第一温度下的所述应力源层在所述基体衬底中诱导第一拉伸应力，所述第一拉伸应力低于所述基体衬底的断裂韧度；使包括所述应力源层的所述基体衬底处于低于所述第一温度的第二温度，其中所述第二温度在所述基底衬底中诱导第二拉伸应力，所述第二拉伸应力大于所述第一拉伸应力并且足以允许在所述基体衬底内发生剥落式断裂；以及使所述基体衬底在所述第二温度下剥落而形成剥落的材料层，其中所述剥落在断裂深度处发生，所述断裂深度依赖于所述基体衬底的断裂韧度、所述基体衬底内的应力水平以及所述应力源层的在所述第二温度下诱导的所述第二拉伸应力。