[发明专利]一种三元层状碳化物Ti2SC材料的制备方法无效
| 申请号： | 201310131049.6 | 申请日： | 2013-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN103253667A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 宋京红;涂勇威;梅炳初;朱文彬 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C01B31/26 | 分类号： | C01B31/26 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 唐万荣 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种三元层状碳化物Ti2SC材料的制备方法，以Al为助剂利用高温高压合成方法来制备致密的Ti2SC材料，其原料包括Ti粉，S粉，C粉和Al粉，四种原料的摩尔配比为Ti：S：C：Al=2:(1.0~1.4):1:(0.1~0.2)。本发明合成的Ti2SC块体材料结构致密，Ti2SC的含量在80wt％以上；以Al为助剂可降低熔点；采用高温高压的烧结方法，可很大程度地抑制S粉的挥发，有利于快速烧结合成Ti2SC材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三元 层状 碳化物 ti sub sc 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种三元层状碳化物Ti2SC材料的制备方法，其特征在于以Al为助剂利用高温高压合成方法来制备致密的Ti2SC材料，其原料包括Ti粉，S粉，C粉和Al粉，四种原料的摩尔配比为Ti：S：C：Al=2:(1.0~1.4):1:(0.1~0.2)。
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