[发明专利]一种采用氧化锌调制阳极氧化铝光致发光谱器件的制备方法无效
| 申请号： | 201310133708.X | 申请日： | 2013-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN103199162A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 卢红亮;谢章熠;王鹏飞;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于发光器件技术领域，具体为一种采用氧化锌调制阳极氧化铝光致发光谱器件及其制备方法。该器件主要由阳极氧化铝和氧化锌相接触，表现出极强的光致发光光谱可调现象。这一结构解决了氧化锌性质不稳定的缺点，并结合了阳极氧化铝多孔结构具有极高的表面积体积比的优势。该器件具有成本低廉，步骤简单，性能稳定的特点。本发明还提出阳极氧化铝从铝薄膜上生长出来，并且可以将铝薄膜和各种半导体工业中的新型高迁移率衬底材料相结合的方法，极大的拓宽了本发明的应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 氧化锌 调制 阳极 氧化铝 光致发光 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多孔结构发光器件，其特征在于是采用氧化锌调制阳极氧化铝光致发光谱制成的发光器件；其中，氧化锌采用原子层淀积工艺淀积得到，氧化锌阳极氧化铝和氧化锌相接触，阳极氧化铝可以直接从铝薄膜上生长得到，或者将铝膜置于各种不同类型的半导体衬底之上得到。
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