[发明专利]小型扭曲模音叉晶片的抛光方法

摘要

本发明公开了小型扭曲模音叉晶片的抛光方法，它包括音叉晶片表面腐蚀步骤和深层次清洁处理步骤，本发明相较传统的清洗腐蚀方法本发明的有益效果是抛光后光洁度为9-9.5级，相较传统抛光后的光洁度明显提升，晶片表面腐蚀均匀，损伤小，晶片表面平整、光亮，很大程度上提高了晶体动态振动时的长期稳定性和可靠性。

主权项

小型扭曲模音叉晶片的抛光方法，其特征是它包括音叉晶片表面腐蚀步骤和深层次清洁处理步骤，所述的音叉晶片表面腐蚀步骤包括：（1）、配置腐蚀液：将65g NH4HF2溶于200ml纯水中，再倒入40ml HF摇匀；（2）、腐蚀：将步骤1所述的腐蚀液倒入耐腐蚀的圆形滚筒内，倒入音叉晶片10000片，再将滚筒固定放入超声波槽内，槽内水平面高于滚筒内腐蚀液面20~30mm，滚动、超声；（3）、清洗：腐蚀后倒去腐蚀液，用热水与冷水交替冲洗，在冲洗过程中不断晃动，将音叉晶片从滚筒内倒入清洗网框中，用流水冲洗；所述的深层次清洁处理步骤包括：（4）、配置处理液：将500mlH2O2溶于500ml纯水中，再倒入 250mlHCL搅拌均匀；（5）、超声：将配制后的处理液倒入烧杯内，同时倒入腐蚀后的音叉晶片，每次15000~20000片，将烧杯放入超声波槽内进行超声，槽内水平面与烧杯内溶液面相等；（6）、二次清洗：超声后倒去烧杯内溶液，将音叉晶片倒入清洗网框中用纯水流水冲洗，再用去离子水流水冲洗，然后把盛有音叉晶片的清洗网框和C2H5OH倒入烧杯内二次超声，二次超声后倒去C2H5OH，将盛有音叉晶片的清洗网框甩干，放入充有N2的烘箱内烘干。