[发明专利]一种减少浮栅孔洞的工艺方法在审
| 申请号： | 201310136075.8 | 申请日： | 2013-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN104112654A | 公开（公告）日： | 2014-10-22 |
| 发明（设计）人： | 刘涛;杨芸;李绍彬;仇圣棻 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种减少浮栅孔洞的工艺方法，该工艺方法至少包括步骤：首先，在半导体衬底的有源区上依次沉积衬垫氧化物层及氮化硅层；其次，刻蚀所述衬垫氧化物层、氮化硅层及有源区，形成至少两个倒梯形的沟槽，所述沟槽未穿透有源区；然后，填充绝缘介质材料至所述沟槽中，形成浅沟道隔离区；接着，采用选择性刻蚀工艺，刻蚀掉位于浅沟道隔离区之间的氮化硅层，同时刻蚀掉部分浅沟道隔离区，获得长方形或倒梯形的浮栅待制备区；最后，在所述浮栅待制备区中制备形成浮栅。由此，在长方形或倒梯形的浮栅制备区制备形成的浮栅中就不会出现孔洞，避免浮栅发生无效，器件的可靠性得到增强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 孔洞 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种减少浮栅孔洞的工艺方法，其特征在于，所述工艺方法至少包括步骤：1）在半导体衬底的有源区上依次沉积衬垫氧化物层及氮化硅层；2）刻蚀所述衬垫氧化物层、氮化硅层及有源区，形成至少两个倒梯形的沟槽，所述沟槽未穿透有源区；3）填充绝缘介质材料至所述沟槽中，形成浅沟道隔离区；4）采用选择性刻蚀工艺，刻蚀掉位于浅沟道隔离区之间的氮化硅层，同时刻蚀掉部分浅沟道隔离区，获得长方形或倒梯形的浮栅待制备区；5）在所述浮栅待制备区中制备形成浮栅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
