[发明专利]一种高k金属栅器件金属电阻结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201310136100.2 | 申请日： | 2013-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN104112735B | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 李凤莲;倪景华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高k金属栅器件金属电阻结构及其制作方法，所述制作方法包括步骤1）于表面具有高k介质层或高k介质层/金属保护层的浅沟道隔离区表面沉积掺杂多晶硅层；2）于掺杂多晶硅层的两端去除部分的掺杂多晶硅，然后于该两端形成金属电极；3）采用选择性沉积工艺于掺杂多晶硅层及金属电极表面形成金属层；4）于金属层表面形成绝缘层，于所述绝缘层中制作接触孔与金属电极连接并于所述接触孔中形成通孔电极。本发明通过于掺杂多晶硅层表面形成一层金属层电阻或使掺杂多晶硅表面的金属层与高k介质层的金属保护层形成并联电阻，大大地降低了金属电阻结构的整体电阻，并通过调整所增加的金属层的材料种类和厚度可实现整体电阻的可调。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 器件 电阻 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种高k金属栅器件金属电阻结构的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1）于表面具有高k介质层或高k介质层/金属保护层的浅沟道隔离区表面沉积掺杂多晶硅层；2）于所述掺杂多晶硅层的两端去除部分的掺杂多晶硅，然后于该两端形成金属电极；3）采用选择性沉积工艺于所述掺杂多晶硅层及金属电极表面形成金属层；4）于所述金属层表面形成绝缘层，于所述绝缘层中制作接触孔并于所述接触孔中形成通孔电极。
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