[发明专利]双嵌套铜互连结构及其制作方法有效
申请号: | 201310136117.8 | 申请日: | 2013-04-18 |
公开(公告)号: | CN104112734B | 公开(公告)日: | 2017-02-15 |
发明(设计)人: | 肖德元;徐依协 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L23/522 | 分类号: | H01L23/522;H01L21/768 |
代理公司: | 上海光华专利事务所31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种双嵌套铜互连结构及其制作方法,所述双嵌套铜互连结构中,金属连线表面的金属扩散阻挡层被一掺氮层所包围,或金属连线及导电插塞位于层间介质层中的部分表面的金属扩散阻挡层被一掺氮层所包围。所述掺氮层通过氮气或氨气等离子体处理得到。所述掺氮层提高了层间介质层与金属之间的粘附力,并且所述掺氮层与第二帽层之间连接的机械强度也更高,从而进一步提高了铜与第二帽层之间的粘附力,改善了器件的抗电迁移能力,并且所述掺氮层还可以在金属扩散阻挡层的基础上进一步阻止铜扩散到层间介质中,防止器件出现短路的现象。 | ||
搜索关键词: | 嵌套 互连 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种双嵌套铜互连结构,其特征在于,所述双嵌套铜互连结构至少包括:第一铜层、依次形成于所述第一铜层之上的第一帽层、层间介质层及第二帽层;所述层间介质层及第一帽层中形成有用于导电互连的第二铜层,所述第二铜层上表面与所述第二帽层下表面连接,且所述第二铜层除上表面以外的其余部分被一金属扩散阻挡层所包围,所述金属扩散阻挡层底部与所述第一铜层上表面连接;所述第二铜层包括金属连线及连接于所述金属连线底部的导电插塞;所述金属连线表面的金属扩散阻挡层被一掺氮层所包围,或所述金属连线及所述导电插塞位于所述层间介质层中的部分表面的金属扩散阻挡层被一掺氮层所包围;所述掺氮层是通过对层间介质层的对应部分进行氮气或氨气等离子体处理得到。
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