[发明专利]氧化石墨烯薄膜立式微纳结构气敏传感器及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201310136507.5 申请日: 2013-04-18
公开(公告)号: CN103196962A 公开(公告)日: 2013-07-10
发明(设计)人: 王艳艳;彭长四;陈林森;张锋 申请(专利权)人: 苏州大学
主分类号: G01N27/26 分类号: G01N27/26;B81C3/00;C01B31/04
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 常亮
地址: 215123 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种基于化学还原氧化石墨烯薄膜立式微纳结构的气敏传感器及其制备方法,首先将氧化石墨烯在溶剂中分散,通过控制还原条件在基底上自组装得到具有立式微纳结构的还原氧化石墨烯薄膜,再采用微加工和剥离技术在石墨烯表面制备金属电极,从而得到与基底结合较好的基于化学还原氧化石墨烯薄膜立式微纳结构的气敏传感器;本发明所得到的具有立式微纳结构的化学还原氧化石墨烯薄膜气敏传感器可实现对气体分子检测性能的提高,其制备方法工艺简单,适合于气敏传感器的批量制备。
搜索关键词: 氧化 石墨 薄膜 立式 结构 传感器 及其 制备 方法
【主权项】:
一种基于化学还原氧化石墨烯薄膜立式微纳结构气敏传感器的制备方法,其特征在于,包括下述步骤:(1)将氧化石墨烯及组装剂置于混合溶剂中,在40kHz~100kHz的频率下超声处理1h~5h,得到均匀分散的氧化石墨烯‑组装剂溶液,所述的氧化石墨烯浓度为0.1mg/mL~1mg/mL,所述的组装剂浓度为2mmol/L~20mmol/L;(2)将步骤(1)所得的氧化石墨烯‑组装剂溶液在基底上成膜,60℃~120℃下加热处理1h~24h,还原自组装成膜,得到具有立式微纳结构的还原氧化石墨烯薄膜;(3)采用微加工技术中的光刻和剥离技术,控制正负电极间以及相邻电极间的间距,在步骤(2)所得的还原氧化石墨烯薄膜表面制备金电极,得到具有立式微纳结构的化学还原氧化石墨烯薄膜气敏传感器。
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