[发明专利]易失性存储装置及其操作方法和控制存储系统的方法有效
申请号: | 201310136956.X | 申请日: | 2013-04-19 |
公开(公告)号: | CN103377158B | 公开(公告)日: | 2018-04-20 |
发明(设计)人: | 金尚玧;孙钟弼;金秀娥;朴哲佑;黄泓善 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G06F13/16 | 分类号: | G06F13/16 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 钱大勇 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 存储装置可以包括存储单元阵列,其包括多个行的易失性存储单元,所述多个行包括弱单元行和正常单元行;命令解码器,其被配置为从存储装置外部的源接收命令;地址表,其存储用于识别对应的弱单元行的多个弱单元行地址;刷新控制电路,其被配置为控制存储单元阵列的操作,以周期性地刷新易失性存储单元的多个行,其中,所述刷新控制电路被配置为被配置为响应于命令解码器接收用于写入到弱单元行的写入命令而引起弱单元行的刷新操作,其中由在地址表中存储的弱单元行地址识别该弱单元行。 | ||
搜索关键词: | 易失性 存储 装置 及其 操作方法 控制 存储系统 方法 | ||
【主权项】:
一种存储装置,包括:存储单元阵列,所述存储单元阵列包括多个行的易失性存储单元,所述多个行包括弱单元行和正常单元行;命令解码器,所述命令解码器被配置为接收命令;地址表,所述地址表存储用于识别对应的弱单元行的多个弱单元行地址;刷新控制电路,所述刷新控制电路被配置为控制存储单元阵列的操作,以周期性地刷新易失性存储单元的多个行,其中,所述刷新控制电路被配置为:当由在地址表中存储的弱单元行地址识别第一弱单元行时,响应于命令解码器接收用于写入到第一弱单元行的写入命令而引起弱单元行的刷新操作,其中弱单元行包括弱单元和正常单元两者,并且每个弱单元的写入性能比正常单元的写入性能差。
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