[发明专利]一种超导量子干涉器件结构及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201310137139.6 申请日: 2013-04-19
公开(公告)号: CN104112818A 公开(公告)日: 2014-10-22
发明(设计)人: 丁玥;沈洁;庞远;吕力 申请(专利权)人: 中国科学院物理研究所
主分类号: H01L39/22 分类号: H01L39/22;H01L39/24
代理公司: 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 代理人: 王艺
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开一种新颖的超导量子干涉器件结构,包括片状非超导介质膜以及附着在所述片状非超导介质膜上方的超导膜,所述超导膜具有环状结构,所述环状结构为超导环,其上有两个或两个以上对称分布的缺口。该结构可以通过微加工方法来制备。本发明的SQUID结构制作简便,工艺步骤少,且便于使用采取解理或CVD生长等方法制备的膜作为非超导介质层。
搜索关键词: 一种 超导 量子 干涉 器件 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
一种超导量子干涉器件结构,其特征在于,包括片状非超导介质膜以及附着在所述片状非超导介质膜上方的超导膜,所述超导膜具有环状结构,所述环状结构为超导环,其上有两个或两个以上对称分布的缺口。 
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