[发明专利]一种LED外延结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201310137286.3 | 申请日： | 2013-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN103236477A | 公开（公告）日： | 2013-08-07 |
| 发明（设计）人： | 南琦;谢祥彬;乔楠;张文燕;周宏敏;李兰;程伟;徐志军;吴洪浩 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种LED外延结构及其制备方法，自下而上依次包括：衬底；GaN成核层；若干对AlGaN/n-GaN交替堆叠结构组成的超晶格缓冲层；n-GaN层；MQW发光层；p-GaN层以及p型接触层；其特征在于：定义Al（n）代表第n对AlGaN/n-GaN超晶格缓冲层对中Al组分值，N（n）代表第n对AlGaN/n-GaN超晶格缓冲层对中n型杂质浓度值，Al（n）的变化趋势是先逐渐上升再逐渐下降，N（n）的变化趋势是先逐渐上升再逐渐下降。本发明提供的LED外延片结构，可有效在底层生长段充分释放由于蓝宝石衬底和GaN晶格不匹配造成的晶格失配导致的晶格应力，从而大大降低外延片在整个高温生长过程中的翘曲，提升外延片波长集中性及良率，同时有效提升GaN晶格质量，减少晶格位错密度，使器件光电特性更为稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种LED外延结构，自下而上依次包括：衬底；GaN成核层；若干对AlGaN/n‑GaN交替堆叠结构组成的超晶格缓冲层；n‑GaN层；MQW发光层；p‑GaN层以及 p型接触层；其特征在于：定义Al（n）代表第n对AlGaN/n‑GaN超晶格缓冲层对中Al组分值，N（n）代表第n对AlGaN/n‑GaN超晶格缓冲层对中n型杂质浓度值，Al（n）的变化趋势是先逐渐上升再逐渐下降，N（n）的变化趋势是先逐渐上升再逐渐下降。
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