[发明专利]用于制作磁瓦的溅射靶材有效
申请号: | 201310137367.3 | 申请日: | 2013-04-19 |
公开(公告)号: | CN103233154A | 公开(公告)日: | 2013-08-07 |
发明(设计)人: | 徐建波;祁三文;张敏;张锋锐;张燕庆 | 申请(专利权)人: | 山西汇镪磁性材料制作有限公司 |
主分类号: | C22C28/00 | 分类号: | C22C28/00;C23C14/34 |
代理公司: | 太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 | 代理人: | 朱源 |
地址: | 030006 *** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | 本发明涉及制作磁瓦的辅助材料,具体为一种用于制作磁瓦的溅射靶材,解决了目前制作磁瓦时缺乏有效的辅助材料的问题。一种用于制作磁瓦的溅射靶材,是由Ⅰ类稀土材料和Ⅱ类金属材料构成的合金,所述Ⅰ类稀土材料由La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho中的一种或几种以任意比例混合,占溅射靶材总重量的范围是:大于等于80%且小于100%;所述Ⅱ类金属材料由Ga、Al、Sn、Mg、Ca、Cu中的一种或几种以任意比例混合。所述溅射靶材呈颗粒状合金。本发明设计合理,能够更好地制备出磁力线辐射发散的磁瓦。 | ||
搜索关键词: | 用于 制作 溅射 | ||
【主权项】:
一种用于制作磁瓦的溅射靶材,其特征在于:是由Ⅰ类稀土材料和Ⅱ类金属材料构成的合金,所述Ⅰ类稀土材料由La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho中的一种或几种以任意比例混合,占溅射靶材总重量的范围是:大于等于80%且小于100%;所述Ⅱ类金属材料由Ga、Al、Sn、Mg、Ca、Cu中的一种或几种以任意比例混合。
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