[发明专利]用于固态储存装置中晶体单元的群组区分方法有效
| 申请号： | 201310137889.3 | 申请日： | 2013-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN104112477B | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | 曾士家;傅仁杰;吴郁姍;张锡嘉 | 申请（专利权）人： | 光宝科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 中国台湾台北市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种固态储存装置中晶体单元的群组区分方法，包括建立一电压偏移参数对照表，该电压偏移参数对照表包含一第一位置参数表；利用N个具重大内部晶体单元干扰效应的晶体单元来决定MN个内部晶体单元干扰图样；当中央晶体单元为第一储存状态时，根据电压偏移参数对照表决定对应MN个内部晶体单元干扰图样的MN个中央晶体单元阈值电压偏移，并将第一储存状态区分为多个子区间；以及将对应第一数目的内部晶体单元干扰图样的中央晶体单元区分至第一储存状态中的第一群组，其中第一数目的内部晶体单元干扰图样对应的中央晶体单元阈值电压偏移位于第一储存状态的第一子区间。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 固态 储存 装置 晶体 单元 区分 方法 | ||
【主权项】：
一种固态储存装置中晶体单元的群组区分方法，该固态储存装置中包括一中央晶体单元及其周围的多个相邻晶体单元，该中央晶体单元与所述相邻晶体单元皆可被程序为M个储存状态其中之一，且所述相邻晶体单元中包括N个具重大内部晶体单元干扰效应的相邻晶体单元，该群组区分方法包括下列步骤：建立一电压偏移参数对照表，其中该电压偏移参数对照表包含一第一位置参数表，该位置参数表对应一第一相邻晶体单元，且该第一相邻晶体单元是该N个具重大内部晶体单元干扰效应的相邻晶体单元其中之一；利用该N个具重大内部晶体单元干扰效应的晶体单元来决定MN个内部晶体单元干扰图样；当该中央晶体单元为该M个储存状态中的一第一储存状态时，根据该电压偏移参数对照表决定对应该MN个内部晶体单元干扰图样的MN个中央晶体单元阈值电压偏移；根据该MN个中央晶体单元阈值电压偏移将该第一储存状态区分为多个子区间；以及将对应一第一数目的内部晶体单元干扰图样的中央晶体单元区分至该第一储存状态中的一第一群组，其中该第一数目的内部晶体单元干扰图样对应的中央晶体单元阈值电压偏移位于该第一储存状态的一第一子区间。
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