[发明专利]埋入式字线动态随机存取存储器及其制造方法有效
申请号: | 201310138207.0 | 申请日: | 2013-04-19 |
公开(公告)号: | CN104112746B | 公开(公告)日: | 2017-06-06 |
发明(设计)人: | 蔡泓祥;郑璨耀 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/8242 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人: | 赵根喜,吕俊清 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种埋入式字线动态随机存取存储器及其制造方法。所述埋入式字线动态随机存取存储器包括基板、至少一个埋入式字线结构、第一掺杂区以及第二掺杂区。埋入式字线结构是配置在基板中。第一掺杂区是邻接埋入式字线结构配置在基板中。第二掺杂区是配置在第一掺杂区上方的基板中,其中第一掺杂区的掺杂浓度低于第二掺杂区的掺杂浓度。 | ||
搜索关键词: | 埋入 式字线 动态 随机存取存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种埋入式字线动态随机存取存储器,其特征在于包括:基板;至少一埋入式字线结构,配置于所述基板中,所述埋入式字线结构包括一埋入式字线;第一掺杂区,邻接所述埋入式字线结构配置在所述基板中;以及第二掺杂区,配置在所述第一掺杂区上方的所述基板中,其中所述第一掺杂区的掺杂浓度低于所述第二掺杂区的掺杂浓度,且所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的界面在所述基板中的深度为所述埋入式字线的顶部表面在所述基板中的深度,且所述第二掺杂区几乎不与所述埋入式字线重叠。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华邦电子股份有限公司,未经华邦电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310138207.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的