[发明专利]室温下水相半导体纳米晶的自分离方法无效
| 申请号： | 201310138270.4 | 申请日： | 2013-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN103194237A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 张皓;周鼎;刘敏;潘洪兵;杨柏 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C09K11/88 | 分类号： | C09K11/88 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 张景林;刘喜生 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 室温下水相半导体纳米晶的自分离方法，属于半导体纳米晶制备技术领域。其是在容器中加入镉盐，然后用水溶解，再加入巯基小分子，离子型碲源或离子型硒源，再加入NaBH4，最后在反应体系中加入氨类化合物水溶液，稍微摇晃并在室温下放置3～5小时后，即在容器底部得到自分离下来的半导体纳米晶；反应体系中，镉盐的浓度为1.0×10-4～1.0×10-2mol/L，镉盐、离子型碲源或离子型硒源、巯基小分子、NaBH4、氨类化合物的摩尔比为1：0.1～0.2：1.5～2.4：3.3～10.5：176～20000。本发明具有良好的实验重复性，同时自分离下来的纳米晶保持了较高的荧光量子效率。本发明所述方法可适用于各种配体的半导体纳米晶的自分离过程。 | ||
| 搜索关键词： | 室温 下水 半导体 纳米 分离 方法 | ||
【主权项】：
一种室温下水相半导体纳米晶的自分离方法，其特征在于：在容器中加入镉盐，然后用水溶解，再加入巯基小分子，离子型碲源或离子型硒源，再加入NaBH4，最后在反应体系中加入氨类化合物水溶液，稍微摇晃并在室温下放置3～5小时后，即在容器底部得到自分离下来的半导体纳米晶；反应体系中，镉盐的浓度为1.0×10‑4～1.0×10‑2mol/L，镉盐、离子型碲源或离子型硒源、巯基小分子、NaBH4、氨类化合物的摩尔比为1：0.1～0.2：1.5～2.4：3.3～10.5：176～20000。
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