[发明专利]存储器件及其制造方法和存取方法有效
| 申请号： | 201310138397.6 | 申请日： | 2013-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN104112747B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242;G11C11/407 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种存储器件及其制造方法和存取方法。一示例存储器件可以包括衬底；在衬底上形成的晶体管，包括栅堆叠以及栅堆叠两侧的源区和漏区；在衬底中形成的电容器结构，该电容器结构的至少一部分延伸到晶体管的沟道区下方，其中，该存储器件还包括电容器结构与晶体管的漏区之间的隧穿通道，该隧穿通道被配置为在晶体管导通且晶体管的源区与电容器结构之间存在一定的电压差时，通过隧穿效应，允许晶体管沟道区中的载流子进入电容器结构中或者释放电容器结构中存储的载流子。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 制造 方法 存取 | ||
【主权项】：
一种存储器件，包括：衬底；在衬底上形成的晶体管，包括栅堆叠以及栅堆叠两侧的源区和漏区；在衬底中形成的电容器结构，该电容器结构的至少一部分延伸到晶体管的沟道区下方，其中，该存储器件还包括电容器结构与晶体管的漏区之间的隧穿通道，该隧穿通道被配置为在晶体管导通且晶体管的源区与电容器结构之间存在一定的电压差时，通过隧穿效应，允许晶体管沟道区中的载流子进入电容器结构中或者释放电容器结构中存储的载流子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
