[发明专利]半导体晶圆级封装结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201310138416.5 | 申请日： | 2013-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN103219304A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 肖智轶;王晔晔;范俊;赖芳奇;黄小花;房玉亮;顾明磊;陆明;廖建亚;沈建树 | 申请（专利权）人： | 昆山西钛微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 昆山四方专利事务所 32212 | 代理人： | 盛建德 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体晶圆级封装结构及其制备方法，该半导体晶圆级封装结构包括硅基材，该硅基材具有两个相对的表面，该硅基材的其中一个表面上设有金属焊垫，在硅基材的另一个表面上对应所述金属焊垫位置处设有一漏斗型垂直深孔连通所述金属焊垫，且该漏斗型垂直深孔靠近所述硅基材另一个表面的一段沿平行所述硅基材表面的截面的半径从靠近所述金属焊垫一侧到远离所述金属焊垫一侧逐渐变大，另在该漏斗型垂直深孔的侧壁以及硅基材的另一个表面上均覆盖一层绝缘材料。该半导体晶圆级封装结构及其制备方法在不增加任何成本的情况下，有效的增加垂直深孔底绝缘材料开窗的工艺窗口，巩固了产品制程能力，提升产品良率和可靠性，并可以实现量产。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶圆级 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体晶圆级封装结构，包括硅基材（1），该硅基材具有两个相对的表面，该硅基材的其中一个表面上设有金属焊垫（3），其特征在于：在所述硅基材的另一个表面上对应所述金属焊垫位置处设有一漏斗型垂直深孔（4）连通所述金属焊垫，且该漏斗型垂直深孔靠近所述硅基材另一个表面的一段沿平行所述硅基材表面的截面的半径从靠近所述金属焊垫一侧到远离所述金属焊垫一侧逐渐变大，另在该漏斗型垂直深孔的侧壁以及硅基材的另一个表面上均覆盖一层绝缘材料（5）。
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