[发明专利]光罩掩模板的制作方法及用该方法制作的光罩掩模板有效
| 申请号： | 201310138465.9 | 申请日： | 2013-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN103236398A | 公开（公告）日： | 2013-08-07 |
| 发明（设计）人： | 吴泰必 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/02 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种光罩掩模板的制作方法及用该方法制作的光罩掩模板，所述方法包括：步骤1、提供光罩掩模板半成品，该光罩掩模板半成品设有数个有效开口区及位于有效开口区周围的无效区；步骤2、通过半蚀刻制程在无效区上形成凹槽。本发明的光罩掩模板的制作方法及用该方法制作的光罩掩模板，通过对设于有效开口区周围的无效区域进行半蚀刻，在无效区上形成凹槽，降低有效开口区与无效区之间的质量差异，有效避免在吸附光罩掩模板时由于有效开口区与无效区之间的质量差异较大而导致吸附顺序不一的问题，进而保证光罩掩模板的有效开口区能完全平贴于基板上的预定位置，保证镀膜图案的精度。 | ||
| 搜索关键词： | 光罩掩 模板 制作方法 方法 制作 | ||
【主权项】：
一种光罩掩模板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、提供光罩掩模板半成品，该光罩掩模板半成品设有数个有效开口区及位于有效开口区周围的无效区；步骤2、通过半蚀刻制程在无效区上形成凹槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
