[发明专利]用于高k和金属栅极堆叠件的器件和方法有效
| 申请号： | 201310138551.X | 申请日： | 2013-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN103390649A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 林俊铭;吴伟成;钟升镇;杨宝如;庄学理 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808;H01L21/337 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明描述的是一种在衬底的不同区域上具有五个栅极堆叠件的半导体器件及其制造方法。该器件包括半导体衬底和用于分隔衬底上的不同区域的隔离部件。不同的区域包括p型场效应晶体管(pFET)核心区域、输入/输出pFET(pFET IO)区域、P型场效应晶体管(pFET)核心区域、输入/输出nFET(nFET IO)区域以及高电阻器区域。本发明还提供了一种用于高k和金属栅极堆叠件的器件和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 金属 栅极 堆叠 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底；隔离部件，用于分隔所述衬底上的不同区域；所述衬底上的p型场效应晶体管(pFET)核心区域，具有第一栅极堆叠件，所述第一栅极堆叠件包括界面层、位于所述界面层上的由第一材料构成的保护层和位于由所述第一材料构成的保护层上的的高k(HK)介电层；所述衬底上的输入/输出pFET(pFET IO)区域，具有第二栅极堆叠件，所述第二栅极堆叠件包括介电层、位于所述介电层上的界面层、位于所述界面层上的由所述第一材料构成的保护层和位于由所述第一材料构成的保护层上的HK介电层；所述衬底上的n型场效应晶体管(nFET)核心区域，具有第三栅极堆叠件，所述第三栅极堆叠件包括界面层、位于所述界面层上的由第二材料构成的保护层和位于由所述第二材料构成的保护层上的HK介电层；所述衬底上的输入/输出nFET(nFET IO)区域，具有第四栅极堆叠件，所述第四栅极堆叠件包括介电层、位于所述介电层上的界面层、位于所述界面层上的由所述第二材料构成的保护层和位于由所述第二材料构成的保护层上的HK介电层；以及高电阻器区域，具有第五栅极堆叠件，所述第五栅极堆叠件包括界面层、位于所述界面层上的由所述第二材料构成的保护层和位于由所述第二材料构成的保护层上的HK介电层。
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