[发明专利]一种双向对称高速过压防护器件有效
| 申请号： | 201310139156.3 | 申请日： | 2013-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN103258815A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 张守明;淮永进;刘伟;唐晓琦;杨京花;赵小瑞;杨显精;薛佳 | 申请（专利权）人： | 北京燕东微电子有限公司;北京时代华诺科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 张雪梅 |
| 地址： | 100015 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体集成过压保护器件。该集成过压保护器件包括，NPN晶体管及由其控制的NPNP晶闸管组合和PNP晶体管及由其控制的PNPN晶闸管组合，其中，NPN晶体管的基极作为该器件的负向过压参考电位端口G-，PNP晶体管的基极作为该器件的正向过压参考电位端口G+，NPNP晶闸管的阳极和PNPN晶闸管的阴极相连作为器件的接地端口A，该NPNP晶闸管的阴极和该PNPN晶闸管的阳极相连作为器件的接入端口K。该器件为一种正、负向过压防护能力均衡、泄流速度快、双向对称的半导体过压防护器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双向 对称 高速 防护 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体过压保护器件，其特征在于，该器件包括，NPN晶体管及由其控制的NPNP晶闸管，和PNP晶体管及由其控制的PNPN晶闸管，其中，NPN晶体管的基极作为该器件的负向过压参考电位端口，PNP晶体管的基极作为该器件的正向过压参考电位端口，该NPNP晶闸管的阳极和PNPN晶闸管的阴极相连作为器件的接地端口，该NPNP晶闸管的阴极和该PNPN晶闸管的阳极相连作为器件的接入端口。
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